一種可調(diào)增益均衡器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011195637.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112311345A | 公開(公告)日 | 2021-02-02 |
申請公布號 | CN112311345A | 申請公布日 | 2021-02-02 |
分類號 | H03G9/00(2006.01)I; | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 陳林輝;劉志哲;聶利鵬;田帆;杜景超;曹玉雄 | 申請(專利權(quán))人 | 拓維電子科技(上海)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京華專卓海知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 王一 |
地址 | 201108上海市閔行區(qū)申南路515號3幢401室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本公開的實施例提供了一種可調(diào)增益均衡器。所述可調(diào)增益均衡器包括第一射頻端口RF_IN、第二射頻端口RF_OUT、第一諧振單元、第二諧振單元、第三傳輸線TL3;第一諧振單元包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2與第一傳輸線TL1;第二諧振單元包括第三NMOS管M3、第四NMOS管M4與第二傳輸線TL2。所述可調(diào)增益均衡器2比特可調(diào),具有四種均衡模式,可滿足不同使用需求;采用CMOS工藝,具有低損耗、低成本、易集成等優(yōu)勢;采用晶體管寄生優(yōu)化技術(shù)和深N阱工藝體懸浮技術(shù),降低晶體管寄生電容和襯底噪聲的影響,降低插入損耗,提高線性度。?? |
