用于金屬絲二次質(zhì)譜深度分析的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011598459.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN112345623B | 公開(公告)日 | 2021-04-16 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112345623B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-16 |
分類號(hào) | G01N27/64 | 分類 | 測(cè)量;測(cè)試; |
發(fā)明人 | 朱雷;華佑南;李曉旻 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 勝科納米(蘇州)股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京崇智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 趙麗娜 |
地址 | 215000 江蘇省蘇州市中國(guó)(江蘇)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)09棟507室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及材料樣品檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及用于金屬絲二次質(zhì)譜深度分析的方法,包括以下步驟:準(zhǔn)備基板,所述基板沿其長(zhǎng)度刻蝕有與所述金屬絲相適的凹槽;沿所述凹槽的長(zhǎng)度將所述金屬絲放入所述凹槽內(nèi),并將所述金屬絲在所述凹槽內(nèi)固定;所述基板放置在二次離子質(zhì)譜儀樣品臺(tái)進(jìn)行測(cè)試;所述金屬絲的直徑為微米級(jí)。本發(fā)明通過(guò)在基板上設(shè)置凹槽,以便輔助金屬絲和質(zhì)譜儀探頭之間形成類平面結(jié)構(gòu),這樣再進(jìn)行二次離子質(zhì)譜儀檢測(cè),得到的圖譜中主元素層清晰分出,也同時(shí)最大減低界面混合效應(yīng)。 |
