制備非導(dǎo)電性材料樣品的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810939776.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109001240B 公開（公告）日 2021-04-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN109001240B 申請(qǐng)公布日 2021-04-13
分類號(hào) G01N23/2202;G01N23/203;G01N23/2005 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 廖金枝;張兮;張南;華佑南;李曉旻 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 勝科納米（蘇州）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 朱琳
地址 215000 江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)09棟507室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種制備非導(dǎo)電性材料樣品的方法，在樣品表面鍍膜后，在待觀測(cè)區(qū)域作相應(yīng)的減薄，此時(shí)，鑲嵌材料表面是鍍有導(dǎo)電材料的，在材料表面形成一個(gè)有效的電子通路，即在樣品臺(tái)和鑲嵌材料表面有導(dǎo)電通路，使得后面的入射電子不能在材料表面會(huì)聚，而影響信號(hào)的收集。本發(fā)明所使用的方法簡單、快速、有效的解決了現(xiàn)有的非導(dǎo)電性材料在SEM/EBSD檢測(cè)過程中而產(chǎn)生的電子積聚，或者由于導(dǎo)電鍍膜過厚而影響到信號(hào)(如背反射電子)的收集問題。