一種基體分離N型功率管ESD電路和設(shè)置方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010518890.0 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN111696982A | 公開(kāi)(公告)日 | 2020-09-22 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111696982A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-22 |
分類號(hào) | H01L27/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 黃勍隆;馮顯聲;閘鋼 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳能芯半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟201室(入駐深圳市前海商務(wù)秘書(shū)有限公司) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種基體分離N型功率管ESD電路和設(shè)置方法,電路包括功率管的源極或漏極與主體之間存在寄生二極管,寄生二極管的正極連接主體,二極管的負(fù)極連接源極或漏極;主基體、地、N型隔離環(huán)之間存在有寄生PNP三極管,PNP三極管的發(fā)射極連接主體,其集電極連接地,基極連接N型隔離環(huán),其基極與電源端之間連接有單向限流電路,用于限定電源端的電流流向PNP三極管的基極。本申請(qǐng)通過(guò)設(shè)置單向限流電路,限制流向寄生PNP三極管的電流,保證ESD時(shí)寄生PNP三極管截止,實(shí)現(xiàn)ESD時(shí)不破壞功率管。?? |
