一種無(wú)自舉電容的N型高側(cè)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷的控制系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110358632.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113067461A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN113067461A 申請(qǐng)公布日 2021-07-02
分類號(hào) H02M1/08 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 閘鋼 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳能芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518000 廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟201室（入駐深圳市前海商務(wù)秘書(shū)有限公司）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及一種無(wú)自舉電容的N型高側(cè)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷的控制系統(tǒng)，包括電荷泵、NMOS管MH、NMOS管ML、主關(guān)斷模塊以及控制模塊，主關(guān)斷模塊具有第一連接端、第二連接端以及第三連接端，控制模塊包括：電流供給模塊、輔助關(guān)斷模塊，主關(guān)斷模塊包括NMOS管M8、電阻R2，電流供給模塊包括PMOS電流鏡M6~M5、可控電流源I1，輔助關(guān)斷模塊包括NMOS管M7。還包括：自斷路模塊，自斷路模塊包括：斷路信號(hào)輸入模塊、執(zhí)行模塊。通過(guò)主關(guān)斷模塊將NMOS管MH的柵極、源極短路，使NMOS管MH的柵極、源極電壓相同，使NMOS管MH不易發(fā)生交叉互通以及被擊穿的現(xiàn)象，以對(duì)NMOS管MH進(jìn)行保護(hù)。