一種氮化物表面增強拉曼基片及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201811310458.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN109234686B | 公開（公告）日 | 2019-01-18 |
| 申請公布號 | CN109234686B | 申請公布日 | 2019-01-18 |
| 分類號 | C23C14/30(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 張政軍;趙豐通 | 申請（專利權(quán)）人 | 廣西三環(huán)高科拉曼芯片技術(shù)有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張文寶 |
| 地址 | 537400廣西壯族自治區(qū)玉林市北流日用陶瓷工業(yè)園區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明屬于痕量有機物檢測技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種氮化物表面增強拉曼基片及其制備方法。本發(fā)明采用傾斜生長法在單晶硅等基底上生長制備氮化物納米棒陣列，再采用氮氣氣氛退火方法提升氮化物基片性能。上述方法制備的氮化物基片具有良好的表面增強拉曼效應(yīng)，同時繼承了氮化物陶瓷的化學(xué)穩(wěn)定性，具備超長時間的存放穩(wěn)定性。由于制備工藝簡單，原材料廉價易得，易于商品化和工業(yè)化，該基片在有機物的痕量、快速檢測方面具有廣闊的應(yīng)用前景。?? |
