一種提高膜基結(jié)合力制備表面增強拉曼基底的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810077316.9 申請日 -
公開（公告）號 CN108330441A 公開（公告）日 2018-07-27
申請公布號 CN108330441A 申請公布日 2018-07-27
分類號 C23C14/06;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/30;C23C16/40;C23C28/00;C23C16/56 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張政軍;馬菱薇 申請（專利權(quán)）人 廣西三環(huán)高科拉曼芯片技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 邸更巖
地址 100084 北京市海淀區(qū)100084信箱82分箱清華大學專利辦公室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種提高膜基結(jié)合力制備表面增強拉曼基底的方法，該方法首先在襯底基片上生長平整的過渡層，再在過渡層上生長銀納米棒陣列薄膜，之后在銀表面均勻覆蓋一層超薄的氧化物膜，最后加熱上述復合納米結(jié)構(gòu)，獲得具有優(yōu)異膜基結(jié)合力的表面增強拉曼基底。過渡層緩解了貴金屬薄膜和襯底間的不匹配因素，調(diào)節(jié)了整個膜基范圍內(nèi)的應(yīng)力分布和原子鍵合。銀納米棒表面超薄的氧化層保證基底具有良好的SERS靈敏性和熱穩(wěn)定性。因此可以進一步加熱基底，促進薄膜與襯底間原子的擴散，減少界面孔隙，提高附著力。具有優(yōu)異膜基結(jié)合力的表面增強拉曼基底不易脫落，穩(wěn)定性好，便于運輸、儲存和使用，從而使表面增強拉曼技術(shù)的實用性增強。