一種氮化物表面增強(qiáng)拉曼基片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811310458.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109234686A 公開（公告）日 2019-01-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN109234686A 申請(qǐng)公布日 2019-01-18
分類號(hào) C23C14/30;C23C14/06;C23C14/58;B82Y40/00;G01N21/65 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張政軍;趙豐通 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣西三環(huán)高科拉曼芯片技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張文寶
地址 100084 北京市海淀區(qū)清華大學(xué)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于痕量有機(jī)物檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種氮化物表面增強(qiáng)拉曼基片及其制備方法。本發(fā)明采用傾斜生長(zhǎng)法在單晶硅等基底上生長(zhǎng)制備氮化物納米棒陣列，再采用氮?dú)鈿夥胀嘶鸱椒ㄌ嵘锘阅?。上述方法制備的氮化物基片具有良好的表面增?qiáng)拉曼效應(yīng)，同時(shí)繼承了氮化物陶瓷的化學(xué)穩(wěn)定性，具備超長(zhǎng)時(shí)間的存放穩(wěn)定性。由于制備工藝簡(jiǎn)單，原材料廉價(jià)易得，易于商品化和工業(yè)化，該基片在有機(jī)物的痕量、快速檢測(cè)方面具有廣闊的應(yīng)用前景。