一種提高膜基結(jié)合力制備表面增強(qiáng)拉曼基底的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810077316.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN108330441B | 公開(公告)日 | 2020-05-12 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN108330441B | 申請(qǐng)公布日 | 2020-05-12 |
分類號(hào) | C23C14/06;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/30;C23C16/40;C23C28/00;C23C16/56 | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 張政軍;馬菱薇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 廣西三環(huán)高科拉曼芯片技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 邸更巖 |
地址 | 537400 廣西壯族自治區(qū)玉林市廣西北流日用陶瓷工業(yè)園 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種提高膜基結(jié)合力制備表面增強(qiáng)拉曼基底的方法,該方法首先在襯底基片上生長(zhǎng)平整的過(guò)渡層,再在過(guò)渡層上生長(zhǎng)銀納米棒陣列薄膜,之后在銀表面均勻覆蓋一層超薄的氧化物膜,最后加熱上述復(fù)合納米結(jié)構(gòu),獲得具有優(yōu)異膜基結(jié)合力的表面增強(qiáng)拉曼基底。過(guò)渡層緩解了貴金屬薄膜和襯底間的不匹配因素,調(diào)節(jié)了整個(gè)膜基范圍內(nèi)的應(yīng)力分布和原子鍵合。銀納米棒表面超薄的氧化層保證基底具有良好的SERS靈敏性和熱穩(wěn)定性。因此可以進(jìn)一步加熱基底,促進(jìn)薄膜與襯底間原子的擴(kuò)散,減少界面孔隙,提高附著力。具有優(yōu)異膜基結(jié)合力的表面增強(qiáng)拉曼基底不易脫落,穩(wěn)定性好,便于運(yùn)輸、儲(chǔ)存和使用,從而使表面增強(qiáng)拉曼技術(shù)的實(shí)用性增強(qiáng)。 |
