半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710726800.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109427582B 公開（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN109427582B 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類號(hào) H01L21/336;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳敏
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述形成方法包括：提供襯底，所述襯底上具有鰭部，所述鰭部上形成有溝道疊層，所述溝道疊層包括犧牲層和位于所述犧牲層上的溝道層；在所述溝道疊層上形成偽柵結(jié)構(gòu)；在所述偽柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述溝道疊層內(nèi)形成開口；去除所述偽柵結(jié)構(gòu)下方的部分犧牲層，在所述開口的側(cè)壁上形成凹槽；在所述凹槽內(nèi)形成保護(hù)層。在所述犧牲層和所述應(yīng)力層之間設(shè)置保護(hù)層，從而防止所述犧牲層去除過程中所述應(yīng)力層受到損傷，減少應(yīng)力層受損現(xiàn)象的出現(xiàn)，有利于提高應(yīng)力層的質(zhì)量，有利于改善所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。