互連結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711074742.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109755175B 公開（公告）日 2021-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN109755175B 申請(qǐng)公布日 2021-08-06
分類號(hào) H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 袁可方;周俊卿;張海洋;王智東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高磊;吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種互連結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底，所述基底上具有介質(zhì)層；在所述介質(zhì)層內(nèi)形成溝槽，所述溝槽貫穿部分厚度的所述介質(zhì)層；至少在所述溝槽側(cè)壁和底部的介質(zhì)層上形成保護(hù)層；形成所述保護(hù)層之后，在所述溝槽的底部形成接觸孔，所述接觸孔貫穿剩余厚度的所述介質(zhì)層。通過所述保護(hù)層的形成，在所述接觸孔的形成過程中，保護(hù)所述溝槽底部和側(cè)壁所露出的介質(zhì)層，從而有效提高所述接觸孔形成之后，所述介質(zhì)層的質(zhì)量，有利于提高所述互連結(jié)構(gòu)形成之后所述介質(zhì)層的性能以及所形成互連結(jié)構(gòu)的性能，有利于改善所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。