半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810094678.9 申請日 -
公開（公告）號 CN110098150A 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號 CN110098150A 申請公布日 2021-07-13
分類號 H01L21/8238;H01L27/092 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張煥云;吳健 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一區(qū)基底內(nèi)具有第一源漏摻雜區(qū)；在所述第一區(qū)基底和第一源漏摻雜區(qū)上形成第一保護層；形成所述第一保護層之后，在所述第二區(qū)的基底內(nèi)形成第二源漏摻雜區(qū)；形成所述第二源漏摻雜區(qū)之后，去除第一保護層；去除第一保護層之后，在所述基底、第一源漏摻雜區(qū)和第二源漏摻雜區(qū)上形成介質(zhì)層；去除部分所述介質(zhì)層，直至暴露出第一源漏摻雜區(qū)和第二源漏摻雜區(qū)的頂部表面，在所述介質(zhì)層內(nèi)形成接觸孔。所述方法形成接觸孔時能夠降低對第二源漏摻雜區(qū)頂部表面的損傷。