半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710735293.1 申請日 -
公開（公告）號 CN109427664B 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN109427664B 申請公布日 2021-08-06
分類號 H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張煥云;吳健 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳敏
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括：提供基底，包括襯底和位于襯底上的鰭部，基底上形成有層間介質(zhì)層，層間介質(zhì)層內(nèi)形成有露出部分基底的柵極開口，柵極開口側(cè)壁上形成有側(cè)墻；對遠離基底一側(cè)的部分高度的側(cè)墻側(cè)壁進行減薄處理，未進行減薄處理的側(cè)墻的頂部至多與鰭部頂部齊平；在減薄處理后，在柵極開口的底部和側(cè)壁形成柵介質(zhì)層；在柵介質(zhì)層上形成無定型硅層；形成無定型硅層后，對基底進行退火處理；在退火處理后，去除無定型硅層。本發(fā)明對遠離基底一側(cè)的部分高度的側(cè)墻側(cè)壁進行減薄處理，且未進行減薄處理的側(cè)墻的頂部至多與鰭部頂部齊平，從而降低去除無定型硅層后發(fā)生無定型硅層殘留問題的概率。