半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711386250.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109950205B 公開(kāi)（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN109950205B 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類號(hào) H01L21/8238;H01L27/092 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：在第一接觸孔底部暴露出的襯底中形成第一源漏摻雜層，第一源漏摻雜層中具有第一摻雜離子；在第一源漏摻雜層表面形成第一金屬化物；形成第一金屬化物之后，在第二區(qū)域介質(zhì)層中形成第二接觸孔，第二接觸孔底部暴露出所述襯底；在第二接觸孔底部暴露出的襯底中形成第二源漏摻雜層，第二源漏摻雜層中具有第二摻雜離子，第二摻雜離子與所述第一摻雜離子的導(dǎo)電類型相反；在第二源漏摻雜層表面形成第二金屬化物，第二金屬化物與所述第一金屬化物的材料不相同。形成方法能夠降低第一金屬化物與第一源漏摻雜層之間的接觸電阻，同時(shí)降低第二金屬化物與第二源漏摻雜層之間的接觸電阻。