半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710952407.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109671777B 公開（公告）日 2021-10-15
申請公布號 CN109671777B 申請公布日 2021-10-15
分類號 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李勇 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供襯底，所述襯底上具有第一鰭部；形成覆蓋所述第一鰭部側(cè)壁的第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)，所述第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)包括相對的第一面和第二面，所述第二面朝向所述第一鰭部側(cè)壁表面；在所述第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)之間的第一鰭部中形成第一凹槽，所述第一凹槽側(cè)壁暴露出所述第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)；形成所述第一凹槽之后，對所述第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)第一面進(jìn)行刻蝕，去除部分第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)；對所述第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)第一面進(jìn)行刻蝕之后，在所述第一凹槽中形成第一外延層。所述形成方法能夠改善所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。