半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201710776635.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN109427888B | 公開（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申請公布號 | CN109427888B | 申請公布日 | 2021-10-15 |
| 分類號 | H01L29/78;H01L23/367;H01L21/336 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 周飛 | 申請（專利權(quán)）人 | 中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 吳敏 |
| 地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底，所述襯底包括功能區(qū)和與所述功能區(qū)相鄰的散熱區(qū)；有源鰭部，凸起于所述功能區(qū)的襯底表面；溝道層，位于所述有源鰭部上；散熱鰭部，凸起于所述散熱區(qū)的襯底表面。所述散熱鰭部位于所述功能區(qū)相鄰的散熱區(qū)襯底上，因此所述散熱鰭部的設(shè)置能夠高所述溝道層的散熱能力，改善半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。 |
