半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810041005.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110047741B 公開（公告）日 2021-07-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN110047741B 申請(qǐng)公布日 2021-07-13
分類號(hào) H01L21/28;H01L29/423 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張城龍;涂武濤;紀(jì)世良 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供襯底，所述襯底上具有柵極結(jié)構(gòu)和介質(zhì)層，所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁表面具有側(cè)墻，所述介質(zhì)層覆蓋所述側(cè)墻側(cè)壁，且暴露出所述柵極結(jié)構(gòu)頂部；去除部分側(cè)墻，暴露出部分柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁，在所述介質(zhì)層和柵極結(jié)構(gòu)之間形成第一開口；去除部分側(cè)墻之后，去除部分柵極結(jié)構(gòu)，在所述介質(zhì)層中形成被第一開口包圍的第二開口；去除部分柵極結(jié)構(gòu)之后，在所述第一開口和第二開口中形成隔離層。所述形成方法能夠增加隔離層的隔離性能，改善半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能。