提高直拉單晶拉速的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910556405.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110106547B 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN110106547B 申請公布日 2022-07-15
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 丁亞國;梁萬亮;馬國忠;顧燕濱;河野貴之 申請（專利權(quán)）人 寧夏盾源聚芯半導體科技股份有限公司
代理機構(gòu) 寧夏三源鑫知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 750000 寧夏回族自治區(qū)銀川市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)光明西路23號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提高直拉單晶拉速的裝置，屬于單晶硅生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。包括導流筒及撤熱組件，所述撤熱組件安裝于所述導流筒的上方，通過熱輻射或者熱傳導的方式對所述導流筒進行降溫。本發(fā)明技術(shù)方案實現(xiàn)在所述撤熱組件遠離單晶爐的熱場的狀態(tài)下，與固液界面發(fā)生熱量交換，降低固液界面處溫度，從而提高直拉單晶的拉速，提高直拉單晶拉速則大幅度節(jié)約的電耗。同時，由于所述撤熱組件距離單晶爐熱場較遠，一則所述撤熱組件受到熱場的熱應力有限，降低所述撤熱組件泄漏概率，二則一旦泄漏發(fā)生，能夠及時通過單晶爐內(nèi)的氛圍變化判斷發(fā)現(xiàn)，及時停爐，降低事故率。