單晶爐擋板閥及單晶爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023280286.3 申請日 -
公開（公告）號 CN214400797U 公開（公告）日 2021-10-15
申請公布號 CN214400797U 申請公布日 2021-10-15
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬國忠;梁萬亮;丁亞國;顧燕濱;河野貴之 申請（專利權）人 寧夏盾源聚芯半導體科技股份有限公司
代理機構 寧夏三源鑫知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 孫彥虎
地址 750021寧夏回族自治區(qū)銀川市西夏區(qū)光明西路23號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種單晶爐擋板閥及單晶爐，屬于單晶硅生產(chǎn)設備技術領域。該單晶爐擋板閥包括閘板，閘板的內(nèi)開設有若干相互連通的氬氣分布槽，氬氣分布槽的入口端連接氬氣進氣管；閘板的下表面開設有若干氬氣通孔，氬氣通孔連通氬氣分布槽。氬氣經(jīng)過氬氣分布槽，并經(jīng)由氬氣通孔進入單晶爐內(nèi)，在單晶爐擋板閥的下方形成惰性氣體環(huán)境。一方面增加了通入氬氣的分布均勻性，滿足拉制較大尺寸的單晶硅晶棒的氬氣通入需求，有效防止了單晶爐內(nèi)零部件尤其是閘板中部的氧化，避免單晶爐內(nèi)環(huán)境被污染，降低單晶拉制成功率。另一方面，氬氣對閘板進行進一步輔助冷卻，加強了單晶爐擋板閥處的冷卻效果。