單晶爐擋板閥及單晶爐

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202023280286.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN214400797U 公開(kāi)(公告)日 2021-10-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN214400797U 申請(qǐng)公布日 2021-10-15
分類(lèi)號(hào) C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 馬國(guó)忠;梁萬(wàn)亮;丁亞國(guó);顧燕濱;河野貴之 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 寧夏盾源聚芯半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧夏三源鑫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 孫彥虎
地址 750021寧夏回族自治區(qū)銀川市西夏區(qū)光明西路23號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種單晶爐擋板閥及單晶爐,屬于單晶硅生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該單晶爐擋板閥包括閘板,閘板的內(nèi)開(kāi)設(shè)有若干相互連通的氬氣分布槽,氬氣分布槽的入口端連接氬氣進(jìn)氣管;閘板的下表面開(kāi)設(shè)有若干氬氣通孔,氬氣通孔連通氬氣分布槽。氬氣經(jīng)過(guò)氬氣分布槽,并經(jīng)由氬氣通孔進(jìn)入單晶爐內(nèi),在單晶爐擋板閥的下方形成惰性氣體環(huán)境。一方面增加了通入氬氣的分布均勻性,滿足拉制較大尺寸的單晶硅晶棒的氬氣通入需求,有效防止了單晶爐內(nèi)零部件尤其是閘板中部的氧化,避免單晶爐內(nèi)環(huán)境被污染,降低單晶拉制成功率。另一方面,氬氣對(duì)閘板進(jìn)行進(jìn)一步輔助冷卻,加強(qiáng)了單晶爐擋板閥處的冷卻效果。