組合導氣石墨電極及無內(nèi)表面氣泡群石英坩堝制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111087356.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113747625B | 公開(公告)日 | 2022-05-03 |
申請公布號 | CN113747625B | 申請公布日 | 2022-05-03 |
分類號 | H05B7/085(2006.01)I;C03B20/00(2006.01)I | 分類 | 其他類目不包含的電技術(shù); |
發(fā)明人 | 王建軍;何玉鵬;鄧紅;李衛(wèi);李常國 | 申請(專利權(quán))人 | 寧夏盾源聚芯半導體科技股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 寧夏三源鑫知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 孫彥虎 |
地址 | 750000寧夏回族自治區(qū)銀川市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)光明西路23號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種組合導氣石墨電極,包括上段石墨電極、下段石墨電極,所述上段石墨電極的下端設(shè)有柱形連接凸起,所述下段石墨電極的上端設(shè)有柱形連接凹槽,在柱形連接凸起的外側(cè)設(shè)有外螺紋,在柱形連接凹槽的內(nèi)側(cè)設(shè)有內(nèi)螺紋,所述柱形連接凸起與柱形連接凹槽螺紋連接,所述上段石墨電極的上端設(shè)有軸向氣孔,所述軸向氣孔不貫通上段石墨電極,所述下段石墨電極的密度大于1.72g/cm3,所述上段石墨電極的貫通氣孔率為20~35%,采用兩段組合式石墨電極,上段石墨電極采用高純度高透氣性石墨電極,下段石墨電極采用高純度高致密度的石墨電極,降低了因下段石墨電極更換頻次高導致的成本高的問題,還提供了一種無內(nèi)表面氣泡群石英坩堝制備方法。 |
