提高直拉單晶硅棒尾部氧含量的石英坩堝的制備裝置及方法和石英坩堝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111623933.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114347218A 公開（公告）日 2022-04-15
申請公布號 CN114347218A 申請公布日 2022-04-15
分類號 B28B1/54（2006.01）I;B28B1/02（2006.01）I;B28B13/02（2006.01）I;B28B7/00（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 加工水泥、黏土或石料;
發(fā)明人 唐文豪;李衛(wèi);李常國;王建軍;馬萬保 申請（專利權(quán)）人 寧夏盾源聚芯半導體科技股份有限公司
代理機構(gòu) 寧夏三源鑫知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 邢芳麗
地址 750000寧夏回族自治區(qū)銀川市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)光明西路23號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種提高直拉單晶硅棒尾部氧含量的石英坩堝的制備裝置及方法和石英坩堝，所述裝置包括模具和成型棒，成型棒包括棒體和頂針，棒體包括直臂、底臂、連接直臂和底臂的圓弧臂，頂針安裝在底臂的端部，模具移動至成型工位處用頂針的下端與模具內(nèi)部底壁中心結(jié)合，底臂外側(cè)設(shè)置凹陷部，凹陷部靠近模具內(nèi)表壁設(shè)置，用上述裝置所制得的石英坩堝內(nèi)表壁底部具有環(huán)狀凸起部，隨著拉晶過程中硅熔體減少，增大了石英坩堝內(nèi)表面與硅熔體的接觸面積，使得石英坩堝內(nèi)壁與環(huán)狀凸起部之間形成硅熔體的富氧體，而且由于環(huán)狀凸起部又改變了硅熔體的流動方式，使得富氧體的硅熔體更易流向硅單晶的生長面，易于長到硅晶體中，增加了晶體硅棒尾部中氧的含量。