一種具有電極反射層的 LED 芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310304382.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103390711A 公開（公告）日 2016-05-11
申請公布號 CN103390711A 申請公布日 2016-05-11
分類號 H01L33/40;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 武樂可;胡國兵;邱國安;曹小明;葉關(guān)興 申請（專利權(quán)）人 江蘇中谷光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京商專永信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 高之波;鄔玥
地址 226000 江蘇省南通市南通經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)蘇通科技產(chǎn)業(yè)園緯14路12號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種具有電極反射層的LED芯片制作方法，包括以下步驟，S1，在襯底上依次生長N型GaN層、量子阱層和P型GaN層；S2，采用刻蝕工藝使部分N型GaN層裸露；S3，于P型GaN層以及裸露的N型GaN層上分別蒸鍍導(dǎo)電層，并預(yù)留有電極區(qū)域；S4，于預(yù)留的電極區(qū)域蒸鍍電極反射層；S5，在電極反射層和導(dǎo)電層上蒸鍍金屬電極，電極與導(dǎo)電層接觸。本發(fā)明在電極蒸鍍之前制作電極反射層，將電極下方的光子在被金屬電極吸收之前反射回去，從而增加光子的出射效率，此外本發(fā)明還提供了上述方法制取的具有電極反射層的LED芯片。