提高量產(chǎn)MOCVD的氮化鎵LED波長的可重復性制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811464391.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109585614A 公開（公告）日 2019-04-05
申請公布號 CN109585614A 申請公布日 2019-04-05
分類號 H01L33/00（2010.01）I; H01L33/06（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任朝花 申請（專利權）人 江蘇中谷光電股份有限公司
代理機構 上海信好專利代理事務所（普通合伙） 代理人 朱成之;潘朱慧
地址 226017 江蘇省南通市南通蘇通科技產(chǎn)業(yè)園江廣路66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種提高量產(chǎn)MOCVD的氮化鎵LED波長的可重復性制造方法，包含：S1、提供一襯底，在襯底上生長緩沖層；S2、在緩沖層上自下至上依次生長未摻雜GaN層和N?GaN層；S3、在N?GaN層上生長多量子阱結構層，其由多組周期交替層疊生長的InGaN層和GaN層組成；其中，在生長InGaN層的過程中，先將In的濃度調(diào)節(jié)至飽和狀態(tài)，再調(diào)節(jié)生長溫度以調(diào)制出氮化鎵LED的所需波長；S4、在多量子阱結構層上生長P型電子阻擋層；S5、在P型電子阻擋層上生長P?GaN層；S6、在P?GaN層上生長P+GaN層。本發(fā)明可有效減少不穩(wěn)定性，提高波長的重復性。