氮化鎵單晶非極性面襯底生長(zhǎng)氮化鎵發(fā)光二極管的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201310281021.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN103325895A | 公開(kāi)（公告）日 | 2016-04-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN103325895A | 申請(qǐng)公布日 | 2016-04-20 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/00 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 梅勁 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 江蘇中谷光電股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京商專(zhuān)永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 高之波;鄔玥 |
| 地址 | 226000 江蘇省南通市南通經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)蘇通科技產(chǎn)業(yè)園緯14路12號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種氮化鎵單晶非極性面襯底生長(zhǎng)氮化鎵發(fā)光二極管的方法，包括以下步驟，S1，將非極性面的氮化鎵單晶襯底升溫至n型導(dǎo)電層的生長(zhǎng)溫度范圍，生長(zhǎng)氮化鎵n型導(dǎo)電層；S2，于n型導(dǎo)電層上生長(zhǎng)量子阱層；S3，于量子阱層上生長(zhǎng)氮化鎵p型導(dǎo)電層。本發(fā)明通過(guò)改變氮化鎵襯底生長(zhǎng)表面的晶體方向，減少量子阱層內(nèi)由于壓變極化電場(chǎng)和自然極化電場(chǎng)造成的電子和空穴在生長(zhǎng)方向上的分離，從而提高載流子在發(fā)光層的光輻射復(fù)合效率。 |
