一種氮化鎵基發(fā)光二極管制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811453886.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109326687A 公開（公告）日 2019-02-12
申請公布號 CN109326687A 申請公布日 2019-02-12
分類號 H01L33/00;H01L33/12 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏曙亮 申請（專利權(quán)）人 江蘇中谷光電股份有限公司
代理機構(gòu) 上海信好專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 朱成之;潘朱慧
地址 226017 江蘇省南通市南通蘇通科技產(chǎn)業(yè)園江廣路66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氮化鎵基發(fā)光二極管制備方法，包括以下步驟：將襯底進行升溫氫化處理；將經(jīng)過升溫氫化處理的襯底進行降溫氮化處理；在經(jīng)過降溫氮化處理的襯底表面上沉積氮化鎵層；在氮化鎵層上沉積第一接觸層；在第一接觸層沉積發(fā)光層；在發(fā)光層沉積第二接觸層。本發(fā)明通過在經(jīng)過降溫氮化處理的襯底表面上連續(xù)沉積低溫氮化鎵層和高溫氮化鎵層，避免了在高溫退火時在低溫氮化鎵層上造成的退火不均致使表面形貌差，同時連續(xù)沉積有利于縮短制備周期，降低生產(chǎn)成本。