一種發(fā)光二極管外延片制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201811453957.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109545920A | 公開(公告)日 | 2019-03-29 |
申請公布號 | CN109545920A | 申請公布日 | 2019-03-29 |
分類號 | H01L33/02(2010.01)I; H01L33/06(2010.01)I; H01L33/12(2010.01)I; H01L33/32(2010.01)I; H01L33/00(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 魏曙亮 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇中谷光電股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 潘朱慧;朱成之 |
地址 | 226017 江蘇省南通市南通蘇通科技產(chǎn)業(yè)園江廣路66號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明是一種發(fā)光二極管外延片制備方法,包含以下步驟:S1、在襯底上預(yù)鍍預(yù)鍍層;S2、獲取所述預(yù)鍍層厚度;S3、根據(jù)獲取的預(yù)鍍層厚度在所述預(yù)鍍層上沉積緩沖層厚度或緩沖層中鋁組份含量;所述步驟S3中,沉積緩沖層時保持緩沖層厚度不變,調(diào)節(jié)緩沖層中金屬組份含量;或,沉積緩沖層時根據(jù)預(yù)鍍層厚度調(diào)節(jié)緩沖層厚度;S4、在所述緩沖層上沉積第一接觸層;S5、在所述第一接觸層上沉積發(fā)光層;S6、在所述發(fā)光層上沉積第二接觸層。本發(fā)明通過在襯底上預(yù)鍍預(yù)鍍層,利用在線監(jiān)測獲取預(yù)鍍層厚度并及時對緩沖層進行調(diào)節(jié),使襯底、預(yù)鍍層、緩沖層達到最佳匹配度,從而提高產(chǎn)品品質(zhì)。 |
