氮化鎵單晶非極性面襯底生長氮化鎵發(fā)光二極管的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310281021.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103325895B 公開（公告）日 2016-04-20
申請公布號 CN103325895B 申請公布日 2016-04-20
分類號 H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梅勁 申請（專利權(quán)）人 江蘇中谷光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京商專永信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 高之波;鄔玥
地址 226000 江蘇省南通市南通經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)蘇通科技產(chǎn)業(yè)園緯14路12號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種氮化鎵單晶非極性面襯底生長氮化鎵發(fā)光二極管的方法，包括以下步驟，S1，將非極性面的氮化鎵單晶襯底升溫至n型導(dǎo)電層的生長溫度范圍，生長氮化鎵n型導(dǎo)電層；S2，于n型導(dǎo)電層上生長量子阱層；S3，于量子阱層上生長氮化鎵p型導(dǎo)電層。本發(fā)明通過改變氮化鎵襯底生長表面的晶體方向，減少量子阱層內(nèi)由于壓變極化電場和自然極化電場造成的電子和空穴在生長方向上的分離，從而提高載流子在發(fā)光層的光輻射復(fù)合效率。