低輻射膜及其制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN98112627.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN1247839A | 公開(公告)日 | 2000-03-22 |
申請公布號 | CN1247839A | 申請公布日 | 2000-03-22 |
分類號 | C03C17/36 | 分類 | 玻璃;礦棉或渣棉; |
發(fā)明人 | 彭傳才;黃廣連;胡云慧;魏敏;余圣發(fā);曹志剛;李京增 | 申請(專利權(quán))人 | 長沙國防科技大學八達薄膜電子技術(shù)研究所 |
代理機構(gòu) | 湖南省專利服務(wù)中心 | 代理人 | 長沙國防科技大學八達薄膜電子技術(shù)研究所;上海凱業(yè)立德鍍膜科技有限公司 |
地址 | 410073湖南省長沙市上大垅 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及低輻射膜及其鍍膜方法。該低輻射膜是由三層組成,從靠基材的一層開始依次是金屬氧化物層,金屬反射層和ITO層。除第三層TTO鍍膜時,以ITO為靶材,采用非反應濺射成膜外,各層的鍍膜方法和設(shè)備與現(xiàn)有技術(shù)相同。本發(fā)明由于選用ITO為第三層,大大簡化了鍍膜工藝。所得到的低輻射膜具有優(yōu)良的性能。 |
