一種用于集成電路的接觸孔的蝕刻結(jié)構(gòu)和方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210077313.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114496913A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114496913A 申請公布日 2022-05-13
分類號 H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡弦助;葉甜春;朱紀軍;李彬鴻;羅軍;趙杰 申請（專利權(quán)）人 澳芯集成電路技術(shù)（廣東）有限公司
代理機構(gòu) 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)香雪大道中85號1601-1607房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種用于集成電路的接觸孔的蝕刻結(jié)構(gòu)和方法，本發(fā)明的蝕刻結(jié)構(gòu)中的襯底的頂部從下往上依次設(shè)有第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層的側(cè)向蝕刻率小于第一介質(zhì)層的蝕刻率，在實際蝕刻時，由于第二介質(zhì)層的蝕刻速率大于第一介質(zhì)層的蝕刻速率，可以讓第二介質(zhì)層獲得更好的抗蝕刻效益，進而可以有效地將側(cè)向蝕刻的行為改善，避免接觸孔在蝕刻時出現(xiàn)碗型輪廓的情況。