金屬柵極的制備方法及CMOS器件的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210107875.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114512396A 公開(kāi)（公告）日 2022-05-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN114512396A 申請(qǐng)公布日 2022-05-17
分類號(hào) H01L21/28（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許濱濱;葉甜春;朱紀(jì)軍;李彬鴻;羅軍;趙杰;許靜;嵇彤;黎婉雯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 澳芯集成電路技術(shù)（廣東）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 510535廣東省廣州市開(kāi)發(fā)區(qū)開(kāi)源大道136號(hào)A棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種金屬柵極的制備方法及CMOS器件的制備方法，通過(guò)將位于PMOS區(qū)域偽柵溝槽以外以及PMOS區(qū)域偽柵溝槽內(nèi)至少槽口處的P型金屬功函數(shù)層去除掉，使得PMOS區(qū)域偽柵溝槽至少槽口處的寬度增大，且PMOS區(qū)域偽柵溝槽的頂部高度也減小，從而在很大程度上減小PMOS區(qū)域偽柵溝槽的深寬比，主要是減小PMOS區(qū)域偽柵溝槽槽口處的深寬比，進(jìn)而在向PMOS區(qū)域的偽柵溝槽內(nèi)填充金屬作為金屬柵電極層時(shí)，不易在PMOS區(qū)域的偽柵溝槽的頂部發(fā)生突懸而造成空洞，即改善了向PMOS區(qū)域偽柵溝槽內(nèi)填充金屬的填充效果，這將大大增加CMOS器件的可靠性，提高CMOS器件的良品率。