一種FDSOI硅外延生長工藝優(yōu)化方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210096862.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114121612B 公開（公告）日 2022-04-29
申請公布號 CN114121612B 申請公布日 2022-04-29
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/84（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘇炳熏;葉甜春;朱紀軍;李彬鴻;羅軍;趙杰 申請（專利權）人 澳芯集成電路技術（廣東）有限公司
代理機構 無錫市匯誠永信專利代理事務所（普通合伙） 代理人 曹慧萍
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)開發(fā)區(qū)開源大道136號A棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種FDSOI硅外延生長工藝優(yōu)化方法，其可確保主動區(qū)域上方的頂層硅能夠完整生長，晶體管包括襯底，襯底上分布有主動區(qū)域、溝槽隔離區(qū)、柵極區(qū)，將襯底劃分為若干襯底區(qū)域，相鄰兩個襯底區(qū)域之間設置有一個溝槽隔離區(qū)，在不同襯底區(qū)域的頂層硅上方分別生長出外延層，工藝優(yōu)化步驟包括：依次在不同襯底區(qū)域的主動區(qū)域上方沉積第一層頂層硅，在第一層頂層硅、柵極區(qū)、溝槽隔離區(qū)的上表面沉積薄膜，在薄膜的上方布置掩膜版，刻蝕相應襯底區(qū)域上方的掩膜版，刻蝕相應襯底區(qū)域上方的薄膜，采用預清洗技術進一步清洗，對第一層頂層硅進行干燥，在第一層頂層硅的表面沉積第二層頂層硅，形成組合頂層硅，使組合頂層硅生長出外延層。