一種介電層平坦度優(yōu)化的方法及裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210031918.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114388428A 公開（公告）日 2022-04-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN114388428A 申請(qǐng)公布日 2022-04-22
分類號(hào) H01L21/762（2006.01）I;H01L21/3105（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐俊杰;葉甜春;朱紀(jì)軍;羅軍;李彬鴻;趙杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 澳芯集成電路技術(shù)（廣東）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市匯誠(chéng)永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 苗雨
地址 510700廣東省廣州市黃埔區(qū)香雪大道中85號(hào)1601-1607房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種介電層平坦度優(yōu)化的方法及裝置，該方法用于集成電路器件，集成電路器件的表面分為密集區(qū)和空曠區(qū)，密集區(qū)存在器件凸起，空曠區(qū)無器件凸起，該方法包括：對(duì)集成電路器件進(jìn)行成膜處理，生成介電層以及第一研磨層；對(duì)第一研磨層進(jìn)行平坦化處理，獲得第一研磨面，處理后的第一研磨面位于介電層以及第一研磨層之間；基于介電層和第一研磨層的刻蝕比例，對(duì)第一研磨面進(jìn)行刻蝕，獲得第二研磨面，第二研磨面位于介電層，且研磨面的平坦度大于平坦度閾值。本方案提供的技術(shù)可以將介電層全局落差降至最小，不僅滿足工藝需求，也大大增加了后續(xù)工藝窗口。