一種finfet的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210096848.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114121678B 公開（公告）日 2022-04-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN114121678B 申請(qǐng)公布日 2022-04-29
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃國(guó)泰;葉甜春;朱紀(jì)軍;李彬鴻;羅軍;趙杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 澳芯集成電路技術(shù)（廣東）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市匯誠(chéng)永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹慧萍
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)開發(fā)區(qū)開源大道136號(hào)A棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及finfet技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種finfet的制造方法，在實(shí)際使用時(shí)，本發(fā)明在襯底上制作完柵極多晶硅層以及使用清洗溶液清洗襯底的表面后，對(duì)柵極多晶硅層與Fin的接觸拐角處進(jìn)行蝕刻，降低柵極多晶硅層與Fin的接觸拐角，進(jìn)而避免柵極多晶硅層與Fin的接觸拐角過大而導(dǎo)致制作完的finfet的柵極與Fin的接觸拐角過大；又或者當(dāng)去除掉襯底上的柵極多晶硅層后，通過先在柵極多晶硅層處制造一層填充層，然后再制作高介電層和柵極金屬，可以降低finfet的柵極與Fin的接觸拐角，進(jìn)而避免finfet的柵極與Fin的接觸拐角過大而影響finfet的交流性能，提高finfet的良品率。