一種鋁襯墊刻蝕聚合物去除方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210033150.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114388360A 公開(kāi)（公告）日 2022-04-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN114388360A 申請(qǐng)公布日 2022-04-22
分類號(hào) H01L21/311（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 傅海林;葉甜春;朱紀(jì)軍;羅軍;李彬鴻;趙杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 澳芯集成電路技術(shù)（廣東）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市匯誠(chéng)永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 苗雨
地址 510700廣東省廣州市黃埔區(qū)香雪大道中85號(hào)1601-1607房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種鋁襯墊刻蝕聚合物去除方法，其可提高鋁襯墊聚合物去除效果，同時(shí)可避免鋁襯墊被腐蝕，提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底、鋁襯墊，鋁襯墊制作方式為：在襯底最頂層依次沉積鋁襯墊層、抗反射層、光刻膠層，采用光刻工藝依次對(duì)相應(yīng)區(qū)域光刻膠層進(jìn)行光刻，采用第一次干法刻蝕對(duì)相應(yīng)區(qū)域的剩余光刻膠層、抗反射層、鋁襯墊層進(jìn)行刻蝕，獲取鋁襯墊，同時(shí)在鋁襯墊表面生成聚合物，聚合物中殘余氯離子，采用第二次干法刻蝕對(duì)剩余光刻膠層、聚合物進(jìn)行刻蝕，第二次干法刻蝕氣體包括氫氣與氮?dú)獾幕旌蠚怏w、氧氣、水氣、氮?dú)?，借助氫氣中的氫離子與聚合物中殘余的氯離子反應(yīng)，生成氯化氫氣體，采用第一次濕法清洗對(duì)聚合物進(jìn)行清洗。