低氧低雜多晶硅鑄錠方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911351510.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110983438B 公開(kāi)（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN110983438B 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類(lèi)號(hào) C30B28/06（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;B05D7/24（2006.01）I;B05D1/02（2006.01）I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 陳雪 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 天合光能股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 浙江永鼎律師事務(wù)所 代理人 郭小麗
地址 213031江蘇省常州市新北區(qū)天合光伏產(chǎn)業(yè)園天合路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種低氧低雜多晶硅鑄錠方法，屬于多晶鑄錠技術(shù)領(lǐng)域。它包括以下步驟：A、坩堝噴涂，將坩堝噴涂氮化硅溶液，B裝料，籽晶裝入坩堝底部，將硅料裝入坩堝中，投入鑄錠爐，C、加熱熔化，抽真空條件下，沖入氬氣保持流量穩(wěn)定，保持底部籽晶不熔，硅料熔化，D、長(zhǎng)晶，逐步增大隔熱籠開(kāi)度，控制長(zhǎng)晶速度，實(shí)現(xiàn)定向凝固，E、退火冷卻，對(duì)長(zhǎng)晶結(jié)束的鑄錠進(jìn)行冷卻退火，出爐進(jìn)一步冷卻，去除坩堝獲得多晶硅錠。本發(fā)明制備的單晶硅氧含量和雜質(zhì)均較低，降低氧含量有利于降低碳化硅的生產(chǎn)，減低碳化硅和氮化硅的雜質(zhì)有利于提高晶體質(zhì)量，同時(shí)提高晶體的良率，降低鑄錠成本。