二價汞還原及二價汞標氣發(fā)生一體裝置及方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201811537359.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109569440B | 公開(公告)日 | 2021-09-10 |
申請公布號 | CN109569440B | 申請公布日 | 2021-09-10 |
分類號 | B01J7/00;G01N33/00 | 分類 | 一般的物理或化學的方法或裝置; |
發(fā)明人 | 劉海東;趙金龍;劉飛平 | 申請(專利權(quán))人 | 力合科技(湖南)股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 長沙智嶸專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 劉宏 |
地址 | 410205 湖南省長沙市高新區(qū)青山路668號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種二價汞還原及二價汞標氣發(fā)生一體裝置,包括高溫加熱裝置、溫度控制裝置和臭氧發(fā)生裝置;所述高溫加熱裝置內(nèi)設(shè)置有氣體流通管,所述氣體流通管的兩端分別伸出所述高溫加熱裝置的殼體,其中所述氣體流通管的第一端連接有第一管路,第二端連接有第二管路;所述臭氧發(fā)生裝置設(shè)置在所述第二管路上;所述溫度控制裝置連接所述高溫加熱裝置,用于控制所述高溫加熱裝置內(nèi)部的加熱溫度。本發(fā)明的裝置既可以作為二價汞還原裝置使用,也可以作為二價汞標氣發(fā)生裝置使用,實現(xiàn)了二價汞還原裝置與二價汞標氣發(fā)生裝置的一體化,減少了設(shè)備投資和設(shè)備占地。 |
