平面T型柵晶體管原胞結(jié)構(gòu)及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110448665.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113363315A 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN113363315A 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張曌;李杰;劉瑋 申請（專利權(quán)）人 深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 黃恕
地址 518116 廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍工業(yè)城寶龍七路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種平面T型柵晶體管原胞結(jié)構(gòu)及制作方法，該方法包括：在導(dǎo)電外延片上形成氧化層，在氧化層制作硅槽再生成電位平衡虛擬柵氧化層。淀積摻雜多晶，掩備多晶并刻蝕未被掩備的多晶，腐蝕氧化層再次熱生長柵氧化層，回填淀積摻雜多晶，掩備預(yù)留的平面多晶硅柵，刻蝕多余多晶預(yù)留預(yù)設(shè)寬度的平面柵，摻雜注入形成原胞上的P阱結(jié)構(gòu)擴散形成P阱。在P阱形成電流區(qū)結(jié)構(gòu)并注入摻雜硼離子形成硼暈環(huán)，淀積摻雜氧化層，開出G極接觸孔、S極接觸孔、電位平衡虛擬柵接觸孔的金屬接觸區(qū)?？涛gS極接觸孔形成淺硅槽，使淺硅槽穿過電流區(qū)結(jié)構(gòu)延伸至P阱，并注入形成S極P阱接觸區(qū)的歐姆接觸后進行孔退火，并淀積金屬光刻、刻蝕形成S極的引線接觸區(qū)。