溝槽型IGBT原胞結(jié)構(gòu)制作方法和溝槽型IGBT原胞結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110382522.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113193039A 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN113193039A 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張曌;李杰 申請（專利權(quán)）人 深圳深愛半導體股份有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 劉廣
地址 518116廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍工業(yè)城寶龍七路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種溝槽型IGBT原胞結(jié)構(gòu)制作方法和溝槽型IGBT原胞結(jié)構(gòu)，該方法包括：在導電單晶片上形成氧化層，在兩個原胞間的氧化層上生長locos氧化層薄膜；用淀積氧化層作為硬掩模來制作硅槽，并在硅槽生長犧牲氧化層進行腐蝕，再生成柵氧化層；淀積摻雜多晶，刻蝕位于對應發(fā)射區(qū)接觸孔位置的多晶，并摻雜注入形成原胞上P阱結(jié)構(gòu)，擴散形成P阱；在P阱注入砷雜質(zhì)并擴散形成電流區(qū)結(jié)構(gòu)；淀積摻雜氧化層，在摻雜氧化層形成發(fā)射區(qū)接觸孔，刻蝕發(fā)射區(qū)接觸孔形成淺硅槽，使淺硅槽穿過電流區(qū)結(jié)構(gòu)延伸至P阱，并在電流區(qū)結(jié)構(gòu)底部注入硼離子摻雜形成硼暈環(huán)；對發(fā)射區(qū)接觸孔注入的暈環(huán)后進行有孔退火，并淀積金屬形成發(fā)射區(qū)的接觸引線金屬。