基材可分離的真空鍍膜設(shè)備
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021762820.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212560416U | 公開（公告）日 | 2021-02-19 |
| 申請公布號 | CN212560416U | 申請公布日 | 2021-02-19 |
| 分類號 | C23C14/22(2006.01)I; | 分類 | 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 葉飛;劉曉萌 | 申請（專利權(quán)）人 | 無錫愛爾華光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 顧吉云;黃瑩 |
| 地址 | 214000江蘇省無錫市濱湖區(qū)胡埭鎮(zhèn)金桂路7號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供基材可分離的真空鍍膜設(shè)備，其可以獲得更均勻的鍍膜效果，確保鍍膜面積內(nèi)工藝性一致。其包括：放置待鍍膜基片的基片承載盤，設(shè)置在所述基片承載盤下方的加熱器，設(shè)置于所述基片承載盤上方的電磁場發(fā)生裝置和工藝氣體發(fā)生裝置，所述基片承載盤與所述電磁場發(fā)生裝置、所述工藝氣體發(fā)生裝置之間的區(qū)域?yàn)殄兡すに噮^(qū)，其特征在于，其還包括托盤外框、升降結(jié)構(gòu)，所述基片承載盤設(shè)置于所述托盤外框上端面，所述托盤外框中心部位設(shè)置中空的托舉口，所述加熱器面積小于所述托舉口面積；所述升降結(jié)構(gòu)驅(qū)動所述加熱器，經(jīng)所述托舉口托舉放置于所述基片承載盤之上的所述待鍍膜基片至所述鍍膜工藝區(qū)的電磁場穩(wěn)定區(qū)域。?? |
