一種旋轉(zhuǎn)鏡像靶磁控濺射設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110606855.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113403595A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113403595A 申請公布日 2021-09-17
分類號 C23C14/35（2006.01）I;C23C14/56（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉曉萌 申請（專利權(quán)）人 無錫愛爾華光電科技有限公司
代理機構(gòu) 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 顧吉云;黃瑩
地址 214000江蘇省無錫市濱湖區(qū)胡埭鎮(zhèn)金桂路7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種旋轉(zhuǎn)鏡像靶磁控濺射設(shè)備，其大幅提升材料利用率，同時可以實現(xiàn)低溫鍍膜，擴大了襯底材料的范圍。其包括：基材運輸裝置、磁控鍍膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述磁控鍍膜結(jié)構(gòu)包括：兩個具備獨立磁性器件的旋轉(zhuǎn)靶柱，兩個所述磁性器件生成的磁場結(jié)構(gòu)設(shè)置為鏡像對稱；所述旋轉(zhuǎn)靶柱設(shè)置于所述基材運輸裝置上的鍍膜面一側(cè)，所述旋轉(zhuǎn)靶柱的柱軸線與襯底材料在所述基材運輸裝置上的行進(jìn)方向垂直，兩個所述柱軸線彼此平行，且距離所述鍍膜面距離相等；兩個所述旋轉(zhuǎn)靶柱之間的小于等于兩個所述旋轉(zhuǎn)靶柱的磁場形成的高能等離子拘束區(qū)域；兩個所述旋轉(zhuǎn)靶柱與所述鍍膜面的距離，小于等于所述旋轉(zhuǎn)靶柱形成的濺射粒子的自由程。