一種基材可分離的真空鍍膜設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010848499.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112030110A 公開（公告）日 2020-12-04
申請公布號 CN112030110A 申請公布日 2020-12-04
分類號 C23C14/22;C23C14/50;C23C16/44;C23C16/458;C23C16/455 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 葉飛;劉曉萌 申請（專利權）人 無錫愛爾華光電科技有限公司
代理機構 無錫盛陽專利商標事務所（普通合伙） 代理人 無錫愛爾華光電科技有限公司
地址 214000 江蘇省無錫市濱湖區(qū)胡埭鎮(zhèn)金桂路7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基材可分離的真空鍍膜設備，其可以獲得更均勻的鍍膜效果，確保鍍膜面積內工藝性一致。其包括：放置待鍍膜基片的基片承載盤，設置在所述基片承載盤下方的加熱器，設置于所述基片承載盤上方的電磁場發(fā)生裝置和工藝氣體發(fā)生裝置，所述基片承載盤與所述電磁場發(fā)生裝置、所述工藝氣體發(fā)生裝置之間的區(qū)域為鍍膜工藝區(qū)，其特征在于，其還包括托盤外框、升降結構，所述基片承載盤設置于所述托盤外框上端面，所述托盤外框中心部位設置中空的托舉口，所述加熱器面積小于所述托舉口面積；所述升降結構驅動所述加熱器，經所述托舉口托舉放置于所述基片承載盤之上的所述待鍍膜基片至所述鍍膜工藝區(qū)的電磁場穩(wěn)定區(qū)域。