一種自生成脊型波導(dǎo)的激光器制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111415222.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114400503A 公開(kāi)（公告）日 2022-04-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN114400503A 申請(qǐng)公布日 2022-04-26
分類號(hào) H01S5/22（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李鴻建;郭娟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢云嶺光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐俊偉
地址 430223湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)長(zhǎng)城園路2號(hào)武漢澳新科技1號(hào)廠房102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種自生成脊型波導(dǎo)的激光器制作方法，包括如下步驟：S1，生長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)，并于外延結(jié)構(gòu)的正上方覆蓋掩膜層；S2，刻蝕部分掩膜層至露出外延結(jié)構(gòu)；S3，于掩膜層上生長(zhǎng)第一InP層，外延結(jié)構(gòu)上無(wú)掩膜層遮擋的區(qū)域的第一InP層的生長(zhǎng)速率快；S4，在第一InP層上生長(zhǎng)接觸層；S5，去掉掩膜層，進(jìn)行電極制作，并進(jìn)行減薄、解理、測(cè)試，以完成制作。本發(fā)明利用寬的介質(zhì)掩膜，進(jìn)行小面積外延生長(zhǎng)，使得無(wú)掩膜區(qū)域InP蓋層的材料生長(zhǎng)速率快，縮短了外延生長(zhǎng)時(shí)間，節(jié)省了時(shí)間和物料成本；選擇區(qū)域生長(zhǎng)InP蓋層和接觸層，自生成脊型波導(dǎo)，省去了脊型波導(dǎo)和接觸條的制作，簡(jiǎn)化了激光器的工藝流程，而且該選擇區(qū)域外延生長(zhǎng)方法，重復(fù)性好，易于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化量產(chǎn)。