邊發(fā)射半導體激光器芯片測試方法以及系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110865398.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113589146A 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號 CN113589146A 申請公布日 2021-11-02
分類號 G01R31/28（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 龍浩;李萬軍;向欣 申請（專利權(quán)）人 武漢云嶺光電股份有限公司
代理機構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐俊偉
地址 430223湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)長城園路2號武漢奧新科技1號廠房102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種邊發(fā)射半導體激光器芯片測試系統(tǒng)，包括上料區(qū)、下料區(qū)、測試區(qū)以及取料機構(gòu)，測試區(qū)包括多個測試載臺，取料機構(gòu)包括若干取料頭以及用于驅(qū)使各取料頭旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)軸，上料區(qū)、下料區(qū)以及各測試載臺環(huán)繞轉(zhuǎn)軸設置，上料區(qū)、下料區(qū)以及各測試載臺環(huán)繞的方向與轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)的方向一致，各測試載臺位于上料區(qū)至下料區(qū)之間的環(huán)繞路徑上，上料區(qū)、下料區(qū)以及各測試載臺合起來的數(shù)量與各取料頭的數(shù)量相同且一一對應配置。提供一種邊發(fā)射半導體激光器芯片測試方法。本發(fā)明通過環(huán)繞式的布局，轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動即可完成上料、測試以及下料的動作，沒有過多的繞行作業(yè)路徑，極大地減小系統(tǒng)的體積，減小占地面積；同步實現(xiàn)芯片的搬運，極大地縮減了芯片搬運時間。