半導(dǎo)體激光器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210315573.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114421280A 公開（公告）日 2022-04-29
申請公布號 CN114421280A 申請公布日 2022-04-29
分類號 H01S5/12（2021.01）I;H01S5/125（2006.01）I;H01S5/10（2021.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李鴻建;龍浩;郭娟 申請（專利權(quán)）人 武漢云嶺光電股份有限公司
代理機構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐俊偉
地址 430223湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)長城園路2號武漢澳新科技1號廠房102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光器，包括襯底，襯底上依次外延生長有緩沖層、有源層以及InP層，還包括光柵層，光柵層的制作具體為于InP層向有源層的方向刻蝕形成光柵，并在經(jīng)過刻蝕后的InP層上進(jìn)行光柵掩埋得到光柵層；在進(jìn)行光柵掩埋前通入惰性氣體；光柵層中的高折射率材料和進(jìn)行光柵掩埋的材料相同，惰性氣體作為光柵層中的低折射率材料。還提供一種制作方法。本發(fā)明的光柵層設(shè)計中以惰性氣體作為低折射率材料，使得光柵層材料折射率差為傳統(tǒng)設(shè)計的10倍及其以上，極大地提高光柵耦合系數(shù)，進(jìn)而提高激光器的耦合效率和功率效率。光柵層設(shè)計材料相同，相較于傳統(tǒng)的InGaAsP/InP兩種材料，相同的材料設(shè)計，易于外延生長，有助于提高界面處光柵層外延生長質(zhì)量。