一種高速率半導(dǎo)體激光器及其封裝結(jié)構(gòu)和方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011358393.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112510482B 公開(kāi)（公告）日 2021-12-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN112510482B 申請(qǐng)公布日 2021-12-14
分類號(hào) H01S5/042（2006.01）I;H01S5/024（2006.01）I;H01S5/02345（2021.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳志標(biāo);周丹 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢云嶺光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 代嬋
地址 430223湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)華中科技大學(xué)產(chǎn)業(yè)園正源光子產(chǎn)業(yè)園內(nèi)2幢1層1-5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高速率半導(dǎo)體激光器及其封裝結(jié)構(gòu)和方法，該高速率半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體激光器和熱沉，所述熱沉上設(shè)有P型過(guò)渡電極，所述半導(dǎo)體激光器倒裝在熱沉上，半導(dǎo)體激光器的P型電極朝下，并通過(guò)焊料與熱沉上對(duì)應(yīng)的P型過(guò)渡電極焊接，熱沉上的P型過(guò)渡電極與管座上對(duì)應(yīng)的封裝引腳電連接，本發(fā)明的有源區(qū)條寬為1?5um，P面電極很窄，大大提高了速率，所述半導(dǎo)體激光器的P面無(wú)需設(shè)置金絲引線焊盤(pán)，能達(dá)到提高散熱并降低寄生電容的效果，從而提升激光器速率。