一種掩埋異質(zhì)結(jié)的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110451693.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112864807B 公開（公告）日 2021-11-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN112864807B 申請(qǐng)公布日 2021-11-05
分類號(hào) H01S5/183（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李鴻建;郭娟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢云嶺光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 胡建文
地址 430223湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)華中科技大學(xué)產(chǎn)業(yè)園正源光子產(chǎn)業(yè)園內(nèi)2幢1層1-5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種掩埋異質(zhì)結(jié)的制備方法，包括：S1，在外延層表面制作光柵層；S2，再于光柵層上生長(zhǎng)InP蓋層，以將光柵層表面的凹槽填平，得到平整的表面；S3，接著于InP蓋層上生長(zhǎng)犧牲層及非晶態(tài)半導(dǎo)體材料層，以得到過渡結(jié)構(gòu)；S4，繼續(xù)在過渡結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)SiO2/SiNx掩膜層，然后對(duì)過渡結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕形成臺(tái)狀結(jié)構(gòu)；S5，待臺(tái)狀結(jié)構(gòu)形成完畢后，去掉SiO2/SiNx掩膜層，以非晶態(tài)半導(dǎo)體材料層作為當(dāng)前的掩膜層繼續(xù)在臺(tái)狀結(jié)構(gòu)上依次生長(zhǎng)P?InP層和N?InP層。本發(fā)明通過在限制層生長(zhǎng)前去掉SiO2/SiNx掩膜層，從而去掉屋檐結(jié)構(gòu)，采用非晶態(tài)半導(dǎo)體材料層為自對(duì)準(zhǔn)掩膜，進(jìn)行MOCVD電流限制層生長(zhǎng)，這些非晶態(tài)的外延層容易去掉，實(shí)現(xiàn)了自對(duì)準(zhǔn)非晶態(tài)半導(dǎo)體材料做掩膜的功能，避免了常規(guī)技術(shù)中的屋檐結(jié)構(gòu)。