一種半導體激光器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010604971.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113300213A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN113300213A 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01S5/042 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李鴻建 申請（專利權）人 武漢云嶺光電股份有限公司
代理機構 北京匯澤知識產權代理有限公司 代理人 胡建文
地址 430223 湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)華中科技大學產業(yè)園正源光子產業(yè)園內2幢1層1-5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及激光器技術領域，提供了一種半導體激光器，一種半導體激光器，包括襯底、在所述襯底上依次生長的生長結構以及于所述生長結構上形成的導電通道，所述導電通道為長條狀的條體，所述條體至少一部分本體為于所述條體的兩個側邊外擴形成的加寬部，兩個所述側邊為所述條體的長度方向的側邊。本發(fā)明的一種半導體激光器，通過增大條體的局部體積，可以降低電流注入密度，進而減輕發(fā)熱效應，抑制空間燒孔效應，以提高器件的穩(wěn)定性和延長器件的壽命。