一種半導體激光器制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110950473.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113913743B 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN113913743B 申請公布日 2022-07-08
分類號 C23C14/04（2006.01）I;C23C14/14（2006.01）I;C23C14/30（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;H01S5/024（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李鴻建;郭娟 申請（專利權）人 武漢云嶺光電股份有限公司
代理機構 北京匯澤知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 -
地址 430223湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)長城園路2號武漢澳新科技1號廠房102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明及光通信激光器技術領域，提供了一種半導體激光器制備方法，包括如下步驟：S1，制作具有溝槽的特殊陪條；S2，采用所述特殊陪條的溝槽遮擋激光器的前后腔面出光區(qū)域；S3，待遮擋完畢后對前后腔面采用電子束金屬蒸發(fā)或濺射工藝，使得前后腔面的非出光區(qū)域鍍金。本發(fā)明的一種半導體激光器制備方法，通過選擇性鍍金的方式，在激光器的前后腔面均鍍金，可將腔面產(chǎn)生的熱量傳導掉，能有效減少由于腔面溫度持續(xù)升高而導致的光學損傷，提高激光器的使用壽命和穩(wěn)定性。