一種制備高純?cè)系姆椒?/p>

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911161731.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111074341A 公開（公告）日 2020-04-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN111074341A 申請(qǐng)公布日 2020-04-28
分類號(hào) C30B25/00;C30B29/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 匡怡君 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海大晶磊半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市海問律師事務(wù)所 代理人 浙江大晶磊半導(dǎo)體科技有限公司;上海聯(lián)興商務(wù)咨詢中心
地址 313009 浙江省湖州市南潯經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)適園西路北、南潯大道西14幢一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種制備高純?cè)系姆椒?，包括：將碳源置于坩堝的上部，硅源置于坩堝的下部，坩堝中間用多孔的石墨盤片隔離；加熱所述坩堝，使得硅源升華并與石墨盤片上的所述碳化粉料合成高純?cè)?；合成結(jié)束后緩慢降溫至室溫。本發(fā)明提供的方法可以多次循環(huán)利用碳化后的原料作為碳源，結(jié)合高純的硅源得到高純的碳化硅原料。