一種籽晶生長裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911161658.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111074347A | 公開(公告)日 | 2020-04-28 |
申請公布號 | CN111074347A | 申請公布日 | 2020-04-28 |
分類號 | C30B29/36;C30B23/00;C30B25/02 | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 匡怡君 | 申請(專利權(quán))人 | 上海大晶磊半導(dǎo)體科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京市海問律師事務(wù)所 | 代理人 | 浙江大晶磊半導(dǎo)體科技有限公司;上海聯(lián)興商務(wù)咨詢中心 |
地址 | 313009 浙江省湖州市南潯經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)適園西路北、南潯大道西14幢一樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種籽晶生長裝置,所述裝置包括外坩堝、內(nèi)坩堝和坩堝蓋,所述內(nèi)坩堝呈頂部開口結(jié)構(gòu),所述內(nèi)坩堝包括拉桿,所述拉桿垂直固定于所述內(nèi)坩堝的底部中心處;所述坩堝蓋的下表面中心包括小孔;所述拉桿與所述小孔活動(dòng)連接;所述坩堝蓋蓋合于所述外坩堝的頂部開口處,使得所述內(nèi)坩堝位于所述外坩堝的內(nèi)部空間,所述內(nèi)坩堝的外壁與所述外坩堝的內(nèi)壁、所述坩堝蓋的下表面不觸碰;所述外坩堝底部中心包括圓柱形籽晶平臺(tái),用于固定籽晶。本發(fā)明提供的坩堝可以避免因晶體逆向生長所導(dǎo)致粘接不均勻以及晶體內(nèi)應(yīng)力增加的缺陷。 |
